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雪崩光敏二极管有哪些优势
编辑: 编辑: 来源: 发布日期: 2021.01.09
信息摘要:
在对光信号要求较高的各种应用场合,如光纤通信、闪烁(citillaTIo)检测等,经常看到雪崩光敏二极管(APD)的身影。通常APD的测量包…
  在对光信号要求较高的各种应用场合,如光纤通信、闪烁(scintillaTIon)检测等,经常看到雪崩光敏二极管(APD)的身影。通常APD的测量包括击穿电压,响应度,反向偏置电流等。那这种雪崩光敏二极管有哪些优势呢?
  雪崩光敏二极管由于其体积小、无需高压电源等优点,因此更适合于实际应用;雪崩光敏二极管与一般半导体光敏二极管相比,具有灵敏度高、速度快等优点,特别是当系统带宽较大时,可使系统的检测性能得到较大提高。
  如果半导体二极管加上足够高的反向偏压,那么在耗尽层中移动的载流子就会由于碰撞电离效应而引起雪崩倍增。这种现象最初是在研究半导体二极管的反向击穿机制时发现的。在载流子崩增益很高时,二极管进入雪崩击穿状态;在此之前,只要耗尽层中的电场足够大,就可以产生一个平均雪崩倍增值,条件是耗尽层中的载流子产生了碰撞电离。
  撞击-离子化效应也会导致光生载流子崩塌倍增,使得半导体光敏二极管内部有光敏流增益。如果外部偏压非常接近物体的击穿电压,二极管就能获得很高的光敏流增益。在任何小的局部区域预先击穿PN结,都会限制二极管的使用,因此,只有当一个实际器件在整个PN结表面上非常均匀时,才能获得很高的平均光敏流增益。
  所以就工作状态而言,雪崩光敏二极管实际上是在接近(但没有达到)雪崩击穿状态时工作的,高度均匀的半导体光敏二极管。

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