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HgCdTe雪崩光电二极管还有哪些改进之处
编辑: 编辑: 来源: 发布日期: 2021.03.01
信息摘要:
HgCdTe探测器逐渐成为一种流行趋势,而其中的光电二极管则成为起到关键作用的光学元件,但在探测器的研究中,光电二极管与探测器的结合还有很多…
  HgCdTe探测器逐渐成为一种流行趋势,而其中的光电二极管则成为起到关键作用的光学元件,但在探测器的研究中,光电二极管与探测器的结合还有很多缺陷,接下来,小编就来和大家探讨一下探测器中光电二极管需要改进的地方。
  在HgCdTe雪崩光电二极管的研究方面,国外已做了大量的工作,但国内的研究还处于起步阶段,需要突破的关键技术主要有:
  1、低缺陷碲镉汞材料的生长技术,由于HgCdTe APD光电二极管工作偏压较高,材料内部的位错会导致器件在高偏压下的性能变差,因此要求碲镉汞外延材料具有较低的位错密度;
  2、pn结结技术,离子注入和退火技术,这是HgCdTe APD制备平面结的关键技术之一,离子注入后,通过退火控制各区域的位置及掺杂浓度,形成理想的PIN结构;
  3、暗电流的抑制技术,要求暗电流和材料的截止波长、工作温度、表面漏电流等因素与普通焦平面探测器件有着直接的联系,需要对暗电流进行分析,并采用新的测量方法。
  以上便是光电二极管需要改进的内容,在实际生产研究中,研究人员要大胆创新,采用新的方法来使其功能得到改善,应用范围得以扩大。关于雪崩光电二极管的内容还有很多,小编先分享到这里了。

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